型号:FDB8860 | 类别:FET - 单 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
系列 | PowerTrench® |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 80A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.3 毫欧 @ 80A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 214nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 12585pF @ 15V |
功率_最大 | 254W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市潮南大宇电子有限公司 | 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877 |
深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
深圳市博浩宇科技有限公司 | 邹泽凯0755-82780609 (只做原装正品,假一赔十) |
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